Новости

Отзывы

Каталог авто

Объявления

Вопрос - Ответ






1 ";}?>



Популярные марки:
 


Опубликовано: 27.08.2018

Youtube – это самый популярный видеохостинг в мире. Люди проводят очень много времени за просмотром различного рода видеороликов. Поэтому совсем неудивительно, что многие хотят узнать, кто же входит в топ 100 Ютуб каналов. На сегодняшний день существует огромное количество всевозможных аналитических ресурсов, способных дать ответ на этот вопрос, перейдите Piar4you подписчики youtube. Но попробуем сначала узнать, как можно посредством самого Ютуба посмотреть список лучших. Первое, что можно сделать – это зайти на главную страницу видеохостинга и кликнуть на три горизонтальные полоски возле логотипа в левом верхнем углу экрана. Откроется знакомая всем ютуберам менюшка, в самом низу которой есть ссылка с анкором «Каталог каналов» (1 – на рисунке чуть ниже).

Кликаем по данной ссылке и переходим в окно (2 – на рисунке вверху), в котором по категориям рассортированы все каналы Ютуба для Вашего региона. Внизу главной страницы сайта можно выбрать свой регион и настроить язык Ютуб. Понятное дело, что при смене локации и языка список видео и каналов тоже будет меняться. Потому, что для каждого региона свой топ Youtube. По категориям можно посмотреть, какие ролики популярны сейчас и какие набирают популярность, но списка самых популярных каналов, как такового нет.

Если не вдаваться в детали, то обращать внимание следует на:

Название видеоролика, это тег < title> . Отображается в поисковой выдаче в заголовке, а также в названиях похожих и рекомендованных роликов в ютубе.

Название  — это один из важнейших с точки зрения видео-SEO компонентов, смотрите Piar4you подписчики youtube. В названии используйте прямое вхождение ключевого запроса, под который вы оптимизируете видео. Например, « Обзор iPhone 5. »

Описание ролика, тег < description> . Описание ролика, участвует в формировании сниппета, отображается в поисковой выдаче, в том числе выдаче Youtube.

В описании размещаем связный текст с прямым вхождением ключевых слов. Длина текста порядка 1000 символов оптимальна. Можно размещать ссылки на другие видео или на ваш сайт. Кроме описания видео можно добавить информацию о вашем ютуб-канале.

Теги, равнозначно ключевые слова < keywords> . Ключевые слова важны в ранжировании как на ютубе, так и в поисковиках.

Принципиально важно оптимизировать указанные элементы. Название, описание и теги подбираем с учетом частотности поисковых запросов (чистую частность выявляем при помощи хотя бы Яндекс.вордстат или сервисов вроде Словоеб и Key Collector).

Эталон  — один ролик под один ключевой запрос.

Не используйте слишком высокочастотные и неконкретные запросы. Подбирайте их осознанно и со здравым смыслом. Встаньте на место человека, который захочет найти ваш видеоролик: какие запросы он будет набирать в поиске?

- [Я.Н. Лугинский, М.С.Фези Жилинская, Ю.С. Кабиров. Английский словарь по электротехнике и электротехнике, Москва, 1999] Электротехника, основные понятия IN Transistence ... Технический переводчик

- это электронная промышленность, занимающаяся поиском электронных процессов в полупроводниках и их использование в первую очередь с целью преобразования и передачи информации. Это с успехом P. e. особенно ... ... Большая советская энциклопедия

- (Браттен) (1902-1987), американский физик. Open (1948) с эффектом транзистора Дж. Бардина и создал первый транзистор. Нобелевская премия (1956, с Дж. Бардином и У. Шокли). * * * BRATTEYN Walter BRATTEYN Walter (полный ... ... Энциклопедический словарь

- устройства для преобразования электромагнитной энергии в виде электромагнитной энергии другого типа посредством взаимодействия электронов (движущихся в вакуум, газ или полупроводник) с электромагнитными полями. Для ... Большая советская энциклопедия

- (1902 87) - американский физик. Open (1948) с эффектом транзистора Дж. Бардина и создал первый транзистор. Нобелевская премия (1956, с Дж. Бардином и У. Шокли) ... Энциклопедический словарь

- Шокли Уильям Брэдфорд (родился 13.2.1910, Лондон), американский физик. Он окончил Калифорнийский технологический институт (1932), затем продолжил учебу в Массачусетском технологическом институте. В 1936-54 работал в Bell Telephone. В ... Большая советская энциклопедия

- (Шокли) Уильям Брэдфорд (родился 13.2.1910, Лондон), американский физик. Он окончил Калифорнийский технологический институт (1932), затем продолжил учебу в Массачусетском технологическом институте. В 1936 году 54 сотрудника компании «Bell Phone» ... Большая советская энциклопедия

- (Bardeen, John) (1908, 1991), американский физик, первый ученый, дважды лауреат Нобелевских премий в той же области науки: в 1956, в сотрудничестве с Соединенными Штатами Шокли и У.Браттейном для изобретения транзистора и в 1972 году, а также ... ... Энциклопедия ожерелья

- (13 февраля 1910 года, Лондон, 12 августа 1989 года, Стэнфорд, Калифорния) является американским физиком, одним из создателей транзисторов, автором книг (Full William Bradford Shockley , Уильям Брэдфорд Шокли.) О физике твердого тела (полупроводниковая физика, ... ... Энциклопедический словарь

- Сан-Хосе, крупнейший город Силиконовой долины (Силиконовая долина), является частью штата Калифорния,плотность высокотехнологичных предприятий, связанных с производством компьютеров и ... ... Википедия

- запрос «Силиконовая долина» перенаправляется сюда; см. также другие значения. Сан-Хосе, самый большой город в долине ... Википедия

Коэффициент усиления мощности транзистор

Эффект транзистора

Транзистор усиления мощности осуществляется путем преобразования источник энергии в полезной мощность, распределенная в полном объеме.

Физический механизм этого усиления заключается в следующем. Напротив, переход от коллекторного перехода к отсутствие тока передатчика через переход коллектора произойдет только ток, генерируемый несущими носителями основание и коллектор, то есть тепловой ток соединение коллектора. Однако, если Соединение передатчика смещается непосредственно и впрыскивание отверстий передатчик в основании, а затем с узкой базой значительная часть тока эмиттера, созданный впрыскиваемыми отверстиями (несущественные несущие для базы зоны) создаст ток через соединение коллектора. В идеальный дифференциальный сопротивление соединения коллектора равна бесконечности (тепловой ток переход не зависит от противоположного напряжение на коллекторе). Таким образом, созданный путем перехода эмитента, возможно рассматривают как генератор тока, соединенный с узлом коллектора. Ток этого генератора установлен изменение напряжения на передатчике переход.

Так как в идеальном случае сопротивление Коллекционер бесконечно большой, тогда Вы можете подключить сборщик к любому Значение конечного сопротивления и не меняет значение тока через коллектор переход. Тогда на этом сопротивлении сбор коллектора может быть получен любое желаемое падение напряжения. но Поскольку ток через передатчик зависит от экспоненциально по напряжению при передатчик и может очень легко меняться и значительно с небольшими изменениями напряжение на передатчике, то есть, что очень небольшие изменения напряжения на стыке передатчика мы можем спровоцировать значительные изменения напряженности в нагрузки в коллекторную цепь, т.е. заработать много денег. В этом и Эффект усиления посредством биполярный транзистор.

Часто во время анализа процесса в транзисторе они говорят о «транзисторе» эффекта ". При переходном эффекте в Этот случай следует понимать как возможность контроль тока через обратную связь переход с бесконечно большим дифференциальное сопротивление в размеренапряжение передатчика, генерировать управляющий ток. Контролировать текущий (текущий передатчик или, как мы увидим ниже, и базовый ток) могут варьироваться от большие ограничения при определении небольших изменений входное напряжение на эмиттерном соединении - база.

В реальном случае дифференциальное сопротивление переход коллектора завершен и бесконечно большое усиление в принципе, это невозможно. Однако коэффициенты усиление мощности может быть достаточным выше.

Электроника окружает нас повсюду. Но вряд ли кто-то думает о том, как все работает. На самом деле все довольно просто. Это то, что мы постараемся показать сегодня. И начните с чего-то такого же важного, как транзистор. Мы расскажем вам, что это такое, что он делает и как работает транзистор.

Что такое транзистор?

Транзистор - полупроводниковое устройство, предназначенное для управления электрическим током.

Где используются транзисторы? Да, везде! Без транзисторов практически не существует современной электрической схемы. Они широко используются в производстве компьютеров, аудио- и видеотехники.

Время, когда советские чипы были самыми большими в мире , прошли, а размеры современных транзисторов очень малы. Таким образом, наименьшее из устройств имеет размер порядка нанометра!

Префикс nano - указывает значение в порядке от десяти до менее девятой степени.

Однако существуют также гигантские экземпляры, используемые главным образом в областях энергетики и промышленности.

Существуют различные типы транзисторов: биполярная и полярная, прямая и обратная проводимости. Тем не менее, основой работы этих устройств является тот же принцип. Транзистор представляет собой полупроводниковое устройство. Как известно, в полупроводнике носителями заряда являются электроны или дырки.

Область с избытком электронов обозначается буквой n (отрицательной), а область проводимости типа p - p (положительная) р>.

Как работает транзистор?

Чтобы все было ясно, рассмотрим работу биполярного транзистора (самый популярный тип).

Биполярный транзистор (в дальнейшем - только транзистор) - полупроводниковый кристалл (часто используемый кремний или германий ), разделенный в трех зонах различной электропроводности. Поля называются collector , base и эмитента , соответственно. Транзисторное устройство и его схематическое изображение показаны нарисунок тот же

Биполярный транзистор

Отделите транзисторы прямой и обратной проводимости. P-n-p-транзисторы называются транзисторами с прямой проводимостью и n-p-n транзисторами - наоборот.

Теперь о том, что есть два режима работы транзисторов. Работа самого транзистора аналогична работе водяного клапана или клапана. Только на месте воды есть электрический ток. Возможны два состояния транзисторов - работа (транзистор открыт) и состояние покоя (транзистор закрыт).

Что это значит? Когда транзистор закрыт, ток не течет через него. В открытом состоянии, когда к основанию подается небольшой управляющий ток, транзистор открывается, и в эмиттер-коллектор начинает течь большой ток.

Физические процессы в транзисторе

И теперь, более подробно о том, почему все так происходит, поэтому транзистор открывается и закрывается. Возьмите биполярный транзистор. Является ли это транзистором n-p-n .

Если вы подключите источник питания между коллектором и эмиттером, электроны коллектора начнут привлекать больше всего, но ток между коллектором и эмиттером не будет. Это затрудняется базой промежуточного слоя и самого слоя эмиттера.

Транзистор закрыт

Если вы подключите дополнительный источник между базой и передатчиком, электроны в области передатчика начнут вводить базовую область. В результате базовая область обогащается свободными электронами, некоторые из которых рекомбинируют с отверстиями, другие течет к основанию плюс, а некоторые (большинство) идут в коллектор.

Таким образом, транзистор разомкнут, и эмиттерный токосъемник циркулирует там. Если базовое напряжение увеличивается, ток коллектора передатчика также увеличивается. Кроме того, при небольшом изменении управляющего напряжения происходит значительное увеличение тока через коллектор-эмиттер. Именно от этого эффекта работает работа транзисторов в усилителях.

Транзистор открыт

Здесь кратко и вся суть работы транзисторов. Нужно вычислить усилитель мощности на биполярных транзисторах на ночь или выполнить лабораторную работу для исследования работы транзистора? Это не проблема, даже для новичков, если вы прибегаете к помощи наших специалистов.

Не стесняйтесь обращаться за профессиональной помощью в те области, которые важны для изучения! И теперь, когда у вас уже есть идея о транзисторах, мы приглашаем вас расслабиться и посмотреть клип группы Korn «Twisted transistor»! Например, вы решаете связаться с внешним лицом.

Вы не можете написать работу самостоятельно? Доверяйте нашим авторам!

Полный эскорт перед защитой

Шпаргалки для экзамена в подарок!

Предоплата только 25%

Транзисторы являются активными компонентами и используются во всех электронных схемах как усилители и коммутационные устройства. В качестве усилителей они используются в устройствах с высокой и низкой частотой, модуляторах, детекторах и многих других. схем. В цифровых схемах, в электрических и управляемых элементах управления, они служат в качестве ключей.

Это имя наиболее распространенного типа транзистора. Они делятся на npn и pnp. Материалом для них чаще всего является кремний или германий. Первоначально транзисторы были изготовлены из германия, но они были очень чувствительны к температуре. Устройства кремния гораздо более устойчивы к колебаниям и менее дороги в производстве.

Различные биполярные транзисторы показаны на рисунке ниже. устройства с малой потребляемой мощностью расположенных в небольших прямоугольных пластиковых или металлических цилиндрических телах. Они имеют три вывода: для базы (B), эмиттер (E) и коллектор (K). Каждый из них связан с одним из трех слоев кремния, имеющих проводимость или n- (в виде свободного электронного тока) или p-типа (так называемый «положительный» заряженный ток), состоит из транзисторная структура.

Принципы транзистора должны быть изучены, начиная с его устройства. Рассмотрим транзисторную структуру npn, которая представлена ​​на рис.ниже.

Как вы можете видеть, он содержит три слоя: два с проводимостью n-типа и один с проводимостью p-типа. Тип проводимости слоев определяется степенью легирования специальными примесями различных частей кристалла кремния. Излучатель n-типа очень сильно легирован, чтобы создать набор свободных электронов в качестве основных носителей тока. Очень тонкое основание p-типа слегка легировано и обладает высокой устойчивостью, а коллектор n-типа сильно легирован, что придает ему низкое сопротивление.

Лучший способ встретиться с ними - экспериментальный способ. Вот простая схема.

Поверните потенциометр в самое нижнее положение. Это уменьшит напряжение на базе (между базой и землей) до нуля вольт (U BE = 0). Лампа не загорается, а это означает, что ток протекает через транзистор.

Если теперь вы поворачиваете ручку в ее нижнее положение, U BE увеличивается постепенно. Когда он достигает 0,6 В, начинается токопускается в основание транзистора, и лампа начинает светиться. Когда ручка движется дальше, напряжение U BE остается на уровне 0,6 В, но базовый ток увеличивается, и это увеличивает ток через схему коллектора-эмиттера. Если рукоятка перемещается в верхнее положение, базовое напряжение немного увеличивается до 0,75, но ток значительно возрастет, и свет будет сиять ярко.

Если амперметр включен между коллектором (C) и лампой (для измерения I C ), другой амперметр между основанием (B) и потенциометром (для измерения I B ), а также вольтметра между общим проводником и базой и повторите эксперимент, мы можем получить некоторые интересные данные. Когда рычаг потенциометра находится в самом нижнем положении, U BE равен 0 В, как и токи I C и I B . Когда рукоятка сдвигается, эти значения возрастают до тех пор, пока лампа не начнет светиться, когда они будут равны: U BE = 0,6 В, I B = 0 , 8 мА и I. C = 36 мА

, поэтому из этого эксперимента мы получаем следующие принципы работы транзисторов: отсутствие положительного результата (для типа npn) на основание токов смещения по его выводам равно нулю и при наличии оснований напряжения и тока их изменения влияют на ток в схеме коллектор-эмиттер. При нормальной работе напряжение, прикладываемое к соединению базового эмиттера, распределяется из так что потенциал l основания (тип p) примерно на 0,6 В выше, чем потенциал излучателя (тип n). Таким образом, при этом переходе применяется постоянное напряжение, оно смещается в прямом направлении и открыто для прохождения тока от основания в передатчике.

на базовый коллектор подается гораздо большее напряжение, а потенциал коллектора (n-типа) больше, чем у основания (р-типа). Обратное напряжение прикладывается к переходу и смещается в противоположном направлении. Это приводит к образованию в резервуаре вблизи основания толстого достаточно обедненного электронами слоя, когда к транзистору подается напряжение питания. В результате ток через схему коллектор-эмиттер не проходит. распределение заряда в переходных npn-транзисторах показано ниже.

Как мы можем управлять нашим электронным устройством? Принцип транзистора - это влияние основного тока на состояние замкнутого соединения базового коллектора. Когда переход базового эмиттера сдвинут вперед, через базу протекает небольшой ток. Здесь его носильщики представляют собой положительно заряженные отверстия. Они объединены с электронами из передатчика, обеспечивая ток I BE . Однако из-за того, что эмиттер очень сильно легирован, из его основания поступает больше электронов, чем способность соединяться с дырками. Это означает, что более высокая концентрацияэлектронов в основании, и большинство из них проходят через него и входят в обедненный электронный слой коллектора. Здесь они попадают под влияние сильного электрического поля, приложенного к базовому коллектору, через его обедненный электронный слой и основной объем бака.

изменение тока, текущего в основании, влияет на количество, заимствованное у электронного эмиттера. Таким образом, принципы транзисторных могут быть дополнены следующим утверждением: очень небольшие изменения в базовый ток, вызывая серьезные изменения в токе эмиттера к коллектору, т.е. ток усиливается

По-английски они обозначены. - Полевые транзисторы полевых транзисторов, которые можно перевести как «полевые транзисторы». «Хотя есть много путаницы в именах для них, но существует два основных типа:

1. С управления р-перехода. В англосаксонской литературе они называются JFET или JET FET, которые можно перевести как «транзисторный транзистор поля». В противном случае они называются JUGFET или JET Unipolar Gate FET.

2. С изолированной дверью (в противном случае MOS или MIS-транзисторами). На английском языке они обозначены как IGFET или изолированные ворота FET.

Они очень похожи на биполярные, что подтверждает рисунок ниже.

Как работает полевой транзистор. Принцип работы заключается в управлении поперечным сечением канала путем приложения напряжения к затвору переходного канала. Он всегда перемещается в противоположном направлении, так что транзистор не работает Практически нет тока в цепи затвора, в то время как биполярное устройство требуется для определенного базового тока. При изменении входного напряжения область затвора может расширяться, блокируя канал исток-исток до тех пор, пока он полностью закрыт, тем самым контролируя текущийпроцедить.

Транзисторы делятся на две подгруппы - Биполярное и Поле . Они обычно используются для усиления, генерации и преобразования электрических сигналов. В 1956 году для изобретения биполярного транзистора Уильям Шокли, Джон Бардин и Уолтер Браттен получили Нобелевскую премию по физике.

биполярные транзисторы.

Биполярный транзистор - полупроводниковое устройство с двумя p-n переходами с тремя контактами. Биполярный транзистор действия, основанный на использовании носителей заряда двух знаков (электронов и дырок) и управляющего тока, протекающего через него с помощью управляющего тока.

Биполярный транзистор является наиболее распространенным активным полупроводниковым устройством.

Транзисторное устройство. Биполярный транзистор по существу содержит три полупроводниковых слоя (pn p или n-pn) и соответственно два pn-перехода. Каждый полупроводниковый слой через омический контакт металл-полупроводник соединен с внешним терминалом.

Промежуточный слой и соответствующий выход называются базой, один из самых внешних слоев и соответствующий выход называется эмиттером, а другой внешний слой и соответствующий выходной коллектор

.

Приведем упрощенную упрощенную схему типа транзисторной структуры n-p-n (рис. 1a) и два возможных варианта условных графических обозначений (рис. 1, b). Тип транзистора p-n-p аналогичным образом разработан. В этом случае «стрелка» будет передаваться передатчиком в противоположном направлении - к основанию. Стрелки указывают направление тока эмиттера через транзистор.

Рис. 1. Структура химического транзистора изображения

Транзистор, называемый Bipolar , так как в процессе подачи тока электрического тока задействованы два символа - электроны и дыры . Но разные типы транзисторов играют роль электронов и дырок.

тип n-p-n транзисторы, которые являются более частыми по сравнению с p-n-p, транзисторами, поскольку имеют в целом лучшие параметры. Это объясняется следующим образом: в фундаментальной роли в процессах электрических тиристорных транзисторов n-p-n игровых электронов и в p-n-p -холотных транзисторах. Электроны имеют подвижность в два-три раза больше, чем отверстие.

Важно отметить, что фактическая площадь коллекторного перехода является гораздо большей площадью перехода эмиттера, так как это значительно усиливает асимметрию характеристик транзистора.

Количественная оценка оригинальности структуры транзисторов. Чтобы быть конкретным, давайте обратимся к типу транзистора n-p-n. В основе биполярного транзистора нет новых физических процессов, которые еще не рассматривались при изучении полупроводникового диода: характер транзистора определяется характеристиками его конструкции.

Основными элементами транзистора являются два p - n -переход. Это позволяет нам формально представить структуру транзистора, показанного на фиг. 2, a.

Чтобы понять принцип работы транзистора, чрезвычайно важно учитывать, что p - n -транзисторные переходы взаимодействуют друг с другом. сильно. Это означает, что ток одного перехода сильно влияет на ток другого, и наоборот. Именно это взаимодействие радикально отличает транзистор от двухдиодной схемы (фиг.2, b).

Рис.2. Структура транзистора.

В схеме с диодами ток каждого диода зависит только от самого напряжения и не зависит от тока другого диода.

Это взаимодействие имеет исключительно простую основную причину, а именно: очень небольшое расстояние между переходами транзистора. Это расстояние называется толщиной основания. Именно эта количественная характеристика структуры создает качественный характер транзистора.

В целом полезно отметить, что в электронике часто получается следующий метод для получения устройства с новым качеством: два идентичных элемента, которые уже хорошо изучены, связаны особым образом.

Основные физические процессы. Концентрация примесных атомов (и свободных электронов) в эмиттере относительно велика, поэтому этот слой имеет низкое сопротивление. Концентрация примесных атомов (и дырок) в основании относительно невелика, поэтому этот слой имеет высокую прочность. Концентрация примесных атомов (и свободных электронов) в коллекторе может быть либо больше, чем концентрация примесных атомов в основании, или меньше этого. Используя источники напряжения, мы перемещаем перемычку передатчика вперед и коллекторное соединение в противоположном направлении (рис. 3). Затем через соединение передатчика I e , >, который будет обеспечен в основном путем впрыскивания электронов из передатчика в базу. Ввод отверстий от основания к эмиттеру будет незначителен из-за разницы в концентрациях примесных атомов, упомянутых выше.

Рис.3. Физические процессы в транзисторе.

Из-за небольшой толщины основания почти все электроны, пройдя базу, достигают коллектора через так называемое время прохождения. Только небольшая часть электронов рекомбинирует в основании с дырками. Потеря этих отверстий компенсируется текущим потоком базы i e . Из вышесказанного следует, что i b "I e .

Обратная поляризация коллекторного перехода способствует тому, что приближающиеся к нему электроны подхватываются электрическим полем перехода и передаются в коллектор. В то же время это поле предотвращает перенос электронов из резервуара на базу. Ток коллектора i K немного меньше, чем ток эмиттера, то есть i K = I e .

Точнее:

I = / EM> I со суб>

, где и v - указанный отчет о переносе тока статического эмиттера (статический термин подчеркивает тот факт, что этот фактор связывается с постоянные токи); - так называемый ток обратного коллектора. Характер обратного тока коллектора такой же, как и обратный ток диода (т. Е. Ток диода включен в противоположном направлении). Канал I в также проходит, когда ток эмиттера равен до нуля.

Работа транзистора. Поскольку биполярные транзисторы состоят из двух p-n переходов, проверка целостности транзистора может быть выполнена путем контроля сопротивления этих переходов с помощью прямого и обратного напряжения. Транзистор n-p-n проверяется на сопротивление переходов .

Для нормальной работы n-p-n -transistor требуется положительное напряжение на коллекторе. Основной переход открывается положительным напряжением. Основной ток вызывает появление тока коллектора (рис. 4, a) . При отрицательном напряжении в базе транзистор закрывается. Если вы плавно измените U b , текущий I b , как показано на фиг. 4, b. Если указать значения I b1 суб> I b2 суб> и т. д. и постепенно изменяющееся напряжение U K мы получаем семейство характеристик коллектора (выход) (рис.4) , c).

Для нормальной работы pn-p -transistor требуется отрицательное напряжение на коллекторе. Открывает базовый переход с отрицательным напряжением (рис.4, г). При положительном напряжении в основании транзистор закрывается. Если изменение постепенно U , , как показано на рис. 4 и т. Д. Если вы установите I b2 и т. д. и плавно измените U K , мы получаем семейство характеристик коллектора (выход) (рис. 4, e).

р>

Рис. 4. Въезд и выходныехарактеристики транзисторов.

Трансисторы схемы усиления могут использоваться в двух разных режимах: в схеме на базе усиления (рисунок 5 а). На диаграмме с излучающим обхимом (рис. 5, б). Во входной цепи помимо источника постоянного напряжения, необходимого для обеспечения активного режима работы, также используется источник входного напряжения переменного тока. Мы представляем две характерные схемы для возбуждения транзистора.

.

Рис. 5. Диаграммы для включения транзистора.

Контур с общей базой (OB) (рисунок 5.a). Если сопротивление нагрузки достаточно велико, амплитуда компонента переменного напряжения и s существенно больше амплитуды напряжения и Rin . Поскольку I leave = I в > , можно утверждать, что схема не обеспечивает усиление тока, но усиливает напряжение. Входной ток такой схемы достаточно большой, а соответствующее входное сопротивление невелико. Общая схема эмиттера (About E) (рисунок 5.b). Поскольку I > R n , амплитуда компонента переменного напряжения и out > намного больше, чем амплитуда напряжения и в , схема обеспечивает усиление как тока, так и напряжения Входной ток схемы достаточно мал, поэтому входное сопротивление выше, чем у общей базовой цепи. Common Collector System (UC) . передатчик эквивалентен общему и не находит широкого применения (кроме передатчика-следящего). Напряжение и быть суб> сильный> и выше переменная составляющая этого напряжения достаточно малы, так что амплитуда компонента переменного напряжения и приблизительно равна амплитуде компонента переменного напряжения и out , В результате этапы усиления, в которых транзисторы соединены в общей схеме коллектора, называются эмиттерными повторителями. Также рассматривая I in "I out , , обратите внимание, что схема усиливает ток, но не увеличивается напряжение.

На практике для создания большинства устройств чаще всего используется общая схема передатчика.

ПОЛНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ.

Домен или однополярный , называемый транзисторным транзистором, в котором управление происходит под воздействием электрическое поле, перпендикулярное току. На диаграммах они обозначены, как показано на рисунке ниже:

,

где: 3 - затвор, I-источник,Стек .

Проводящий слой, через который ток течет, называется каналом . Существуют p-канальные и n-канальные транзисторы. Каналы могут быть близкими к поверхностным и объемным, горизонтальным и вертикальным. Пример транзистора с полевым эффектом с n-p-соединением и n-каналом показан на фиг. 6.

Рис. 6. Полевой транзистор: a - конструкция транзистора; b - кристаллическая структура.

В свою очередь, приповерхностные каналы делятся на обогащенные или обедненные носители или инверсионные слои. Они образованы внешним электрическим полем. Истощенные каналы представляют собой части однородного полупроводника, отделенные от поверхности обедненным слоем.

На рис. На фиг.7 показаны канальные схемы в полевых транзисторах. Поверхностные канальные транзисторы имеют структуру диэлектрического полупроводника (MDP). Такие транзисторы обычно называют MIS-транзисторами. Если диэлектрик представляет собой SiO2 , то используется поле MOSFET. Транзисторы с массовым каналом называются FET .

Рис. 7. Каналы в униполярных транзисторах: a - канал n близко к поверхности; p-channel volume b,

1 - обедненный слой.

Таким образом, работа полевого транзистора представлена ​​следующим образом: проходящий через него ток регулируется внешним электрическим полем, то есть напряжением. Это принципиальное различие между ним и биполярным транзистором, где основной ток регулируется управляющим током (рис. 8).

Рис. 9. Принцип действия полевых и биполярных транзисторов.

Следовательно, VAC полевого транзистора обратно пропорционален I-V характеристике биполярного транзистора. Более четко показано на рисунке 9. При увеличении значения Uzi является прогрессивным замыканием проводящего канала.

Рис. 9. Сравнение выходных вольт-амперных характеристик полевых (а) и биполярных (б) транзисторов.

Краткое описание транзисторов, диаграмм, монтажных схем и h-параметров можно скачать здесь

Красивые столики из дерева своими руками фото

-

- -